东芝低导通电阻车规N沟道MOSFET为车载设备赋能
汽车智能化的发展使车用MOSFET蕴含巨大增量空间，据相关数据显示，在ADAS、安全、信息娱乐等功能的不断迭代下，单车MOSFET使用量可达200-400颗，前景广阔。
也就是金属-氧化物半导体场效应晶体管，外形与普通晶体管差不多，但具有不同的控制特性，主要是通过充电和放电来切换或放大信号。东芝在MOSFET方面拥有丰富的经验，旗下有多种产品线。此次推出的用于车载的40V N沟道MOSFET——SSM6K804R是对公司既有产品的扩充。该产品的最大亮点是满足AEC-Q101标准，最高结温达175℃，能满足车载设备的应用需求。
什么是N沟道MOSFET？
在MOSFET中，沟道和栅极通过薄的SiO2层分开，形成了随栅极电压变化的电容。因此，MOSFET就像MOS电容器一样工作，通过输入栅极到源极电压进行控制，所以，MOSFET也可以用作压控电容器。MOSFET的结构类似于MOS电容器，因为该电容器中的硅基是P型的。
分为四种类型，分别是P沟道增强型、N沟道增强型、P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。
沟道MOSFET包括位于源极和漏极端子中间的N沟道区，它是一个三端器件，其端子为G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。在N沟道MOSFET晶体管中，源极和漏极是重掺杂的N+区，而主体或衬底是P型的。
器件的基本特性
东芝40V N沟道
其主要特性如下
（1）采用业界领先低导通电阻降低功耗：RDS（ON）＝18mΩ（最大值）（2）TSOP6F通用封装：尺寸为2.9mm×2.8mm×0.8mm，安装在FR4环氧树脂板上，尺寸为25.4mm×25.4mm×1.6mm，铜焊盘645mm2，降低了饱和热阻，额定功耗仅为（3）4.5V驱动
（4）漏极-源极低导通电阻：RDS（ON）=12mΩ（典型值）（@VGS=4.5V）；RDS（ON）=9m?（典型值）（@VGS=10V）（5）最高结温175℃
（6）通过AEC-Q101认证
功能特性分析
采用新工艺制造，与具有相同最大额定值的产品相比，它在TSOP6F级封装中实现了业界先进的低导通电阻，在4.5V栅极-源极电压条件下，最大导通电阻为18mΩ。
此外，扁平引线封装提高了芯片安装能力，有助于降低热阻。该产品额定功耗仅为1.5W，有助于降低设备能耗。
与东芝同等额定功耗的SOP-8封装产品相比，TSOP6F封装产品安装面积约减小70%，有助于减小设备尺寸。此外，产品符合AEC-Q101标准，能够满足汽车严苛的标准。
封装和内部电路
产品应用方向
应用电路示例
上图是一个采用SSM6K804R的Boost-Buck DC-DC转换器电路。升压转换器对输入电压进行升压，降压转换器则对输入电压进行降压。这两种转换器都适用于特定的应用范围，不过，某些应用需要根据特定条件或迎合特定操作场景同时对输入电压进行升压和降压。在这种情况下，使用两种转换器并不理想。因此，常见的做法是使用一个DC-DC转换器，根据应用使用相同的电路对电压进行升压或降压，将电压提供给需要更高或更低电压的设备。
除了DC-DC转换器，SSM6K804R还适用于车载设备中的反接保护、负载开关、电源管理开关等应用，在降低设备能耗的同时，有助于减小设备尺寸。
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