韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体 (SK keyfoundry) 今日宣布推出HVIC（高压集成电路）工艺技术，从而扩大和增强了高压代工服务组合。

SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使得客户能够减少外部器件，在单个芯片上设计各种高压功能。该工艺有望通过确保25V高压器件和650V nLDMOS器件的高电流性能，来提高客户产品的竞争力。此外，该工艺还提供非易失性器件、MTP（多次性编程）IP和OTP（一次性编程）IP作为可选功能，使客户能够在一种设计中更改各种产品规格。

随着这一HVIC工艺的开发，SK启方半导体扩大了其高压产品阵容，除现有的200V及以下高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺产品和带有厚金属间电介质（Thick IMD）选项的1500V以上超高压产品外，新增了650V至1200V范围内的栅极驱动产品。特别是，该工艺符合汽车质量标准AEC-Q100一级标准，适用于电动汽车的汽车电机驱动器和车载充电器（OBC），并有望将业务扩展到太阳能逆变器等未来需求预计会增加的各种应用领域。

使用HVIC工艺的主要产品包括高压栅极驱动集成电路（IC），这些IC可接收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据服务器的电压转换器、汽车电机驱动器和车载充电器，以及工业电机驱动器。

SK启方半导体首席执行官Derek D. Lee表示："我们推出HVIC工艺技术意义重大，因为它增强了我们在大型家电和汽车电机市场的竞争力。随着我们不断扩大HVIC产品组合，我们将继续巩固我们在多个应用领域的技术优势，包括用于下一代功率半导体高压器件的栅极驱动IC。"