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Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET  第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效

 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新型第四代650V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。

Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求，包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储;UPS;高强度放电(HID)灯和荧光镇流器;太阳能逆变器;焊接设备;感应加热;电机驱动;以及电池充电器。

SiHP054N65E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.051 Ω，从而提高额定功率支持2 kW以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目Open Rack V3(ORV3)标准的需求。此外，这款MOSFET超低栅极电荷下降到 72nC。器件的FOM为3.67 Ω*nC，比同类接近的竞品MOSFET 低1.1 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而达到节能效果，提高能效。器件满足服务器电源钛效应的特殊要求，或通信电源达到96%的峰值效率。

日前发布的MOSFET有效输出电容 Co(er)和Co(tr)典型值分别仅为115 pF和 772 pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与 Co(tr)乘积FOM低至5.87 W*pF达到业内先进水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。