【ZiDongHua 之新品发布台文收录关键词:Vishay IGBT 逆变器 半导体 电子元件】
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗
半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月29日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局,与34 mm工业标准封装100%兼容,可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备;发电、配电和储电系统;焊接设备;电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125 °C,额定电流下,Eoff仅为1.0 mJ。
模块符合RoHS标准,集电极至发射极电压为650 V,集电极连续电流为100 A至200 A,结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。
器件规格表:
产品编号 |
VCES |
IC |
VCE(ON) |
Eoff |
速度 |
封装 |
@ IC和 +125 °C |
||||||
VS-GT100TS065S |
650 V |
100 A |
1.02 V |
6.5 mJ |
DC~1 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT150TS065S |
650 V |
150 A |
1.05 V |
10.3 mJ |
DC~1 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S |
650 V |
200 A |
1.07 V |
13.7 mJ |
DC~1 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N |
650 V |
100 A |
2.12 V |
1.0 mJ |
8 kHz~30 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N |
650 V |
200 A |
2.13 V |
3.86 mJ |
8 kHz~30 kHz |
INT-A-PAK |
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。
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