【ZiDongHua 之新品发布台文收录关键词：Vishay 碳化硅 SiC 逆变器】

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

 

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。 

 

碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。

 

器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。

 

器件规格表：

产品编号

IF(AV) (A)

IFSM (A)

IF 下VF (V)

QC (nC)

配置

封装

VS-3C05ET12T-M3

5

42

1.35

28

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C10ET12T-M3

10

84

1.35

55

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C15ET12T-M3

15

110

1.35

81

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C20ET12T-M3

20

180

1.35

107

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C05ET12S2L-M3

5

42

1.35

28

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C10ET12S2L-M3

10

84

1.35

55

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C15ET12S2L-M3

15

110

1.35

81

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C20ET12S2L-M3

20

180

1.35

107

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C10EP12L-M3

10

84

1.35

55

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C15EP12L-M3

15

110

1.35

81

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C20EP12L-M3

20

180

1.35

107

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C30EP12L-M3

30

260

1.35

182

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C10CP12L-M3

2 x 5

42

1.35

28

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C20CP12L-M3

2 x 10

84

1.35

55

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C30CP12L-M3

2 x 15

110

1.35

81

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C40CP12L-M3

2 x 20

180

1.35

107

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

 

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。

 

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。