【ZiDongHua 之推好新品榜收录关键词： 东芝 工业电源 碳化硅 SiC 肖特基势垒二极管 太阳能逆变器 电动汽车充电站 开关电源】
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。
- 应用：
- 光伏逆变器
- 电动汽车充电站
- 工业设备UPS的开关电源
- 特性：
- 第3代1200 V SiC SBD
- 业界领先的[2]低正向电压：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低总电容电荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
- 低反向电流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)
-
- 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25 °C）
器件型号
封装
绝对最大额定值
电气特征
样品查看与供货情况
重复峰值反向电压VRRM（V）
正向DC电流IF(DC)（A）
非重复峰值正向浪涌电流IFSM（A）
正向电压
（脉冲测量）VF（V）
反向电流
（脉冲测量）IR（μA）
总电容电荷
QC
（nC）
温度条件
Tc（°C）
f＝50 Hz
（半正弦波，t＝10 ms），Tc＝25 °C
IF＝IF(DC)
VR＝1200 V
VR＝800 V，f＝1 MHz
典型值
典型值
典型值
TRS10H120H
TO-247-2L
1200
10
160
80
1.27
1.0
61
TRS15H120H
15
157
110
1.4
89
TRS20H120H
20
155
140
2.0
109
TRS30H120H
30
150
210
2.8
162
TRS40H120H
40
147
270
3.6
220
TRS10N120HB
TO-247
5（每个引脚）
10（双引脚）
160
40（每个引脚）
80（双引脚）
1.27
（每个引脚）
0.5
（每个引脚）
30
（每个引脚）
TRS15N120HB
7.5（每个引脚）
15（双引脚）
157
55（每个引脚）
110（双引脚）
0.7
（每个引脚）
43
（每个引脚）
TRS20N120HB
10（每个引脚）
20（双引脚）
155
70（每个引脚）
140（双引脚）
1.0
（每个引脚）
57
（每个引脚）
TRS30N120HB
15（每个引脚）
30（双引脚）
150
105（每个引脚）
210（双引脚）
1.4
（每个引脚）
80
（每个引脚）
TRS40N120HB
20（每个引脚）
40（双引脚）
147
135（每个引脚）
270（双引脚）
1.8
（每个引脚）
108
（每个引脚）
注：
[1] 改进型结势垒肖特基（JBS）结构：该结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构（可在大电流下降低正向电压）整合在JBS结构（不仅可降低肖特基接口的电场，而且还可减少电流泄漏）中。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。
*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,971亿日元（49.6亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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