【IGBT器件近些年出现了一种碳化硅新工艺】碳化硅的绝缘破坏电场强度是传统硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。
    背景信息：@罗姆半导体集团#罗姆报道#相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。因此在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的完美替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？请看《与非网》报道《IGBT的最大威胁碳化硅，何日从威胁变杀手》：