该器件将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装，在2mmx2mm的占位面积内用两个20V P沟道功率MOSFET将导通电阻最多可减少44%

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。　　SiA921EDJ在4.5V和2.5V条件下分别具有59 mΩ和98 mΩ的超低导通电阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件在开关时比市场上任何双P沟道功率MOSFET所消耗的能量都要少。　　而其他最接近的P沟道器件在4.5V栅极驱动电压、大于12V的栅源额定电压下的导通电阻为95mΩ，在2.5V驱动电压下的导通电阻为141mΩ，分别比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封装的占位面积为2mmx2mm，只有TSOP-6封装尺寸的一半，而导通电阻则不相上下。　　通过推出SiA921EDJ，Vishay将第三代P沟道TrenchFET®技术应用到适用于手持式电子产品的超小封装中。新器件可用于DC-DC降压转换器，以及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、功放和电池开关。SiA921EDJ更低的导通电阻意味着更少的功耗，节约电能并延长这些设备在两次充电期间的电池寿命。　　SiA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET 符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。该器件现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为10至12周。