该器件是业界首款在4.5V栅极驱动下额定导通电阻为8.5mΩ的80V MOSFET
　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。　　SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。　　器件的4.5V电压等级有助于实现更高频率的设计，在POL应用中大幅降低栅极驱动损耗，并且可以使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。　　SiR880DP经过了完备的Rg和UIS测试。这款采用PowerPAK SO-8封装的MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。VISHAY简介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。(这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备)。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。TrenchFETTM和PowerPAKTM是Siliconix公司的注册商标，ThunderFET是Siliconix公司的商标。新闻联系人：VISHAY王真（Jenny Wang）地址：上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座电话：（8621）52585000-6052传真：（8621）52587979Email：Jenny.wang@vishay.com煜治时代信息咨询（北京）有限公司乔治（George Qiao）地址：北京市朝阳区朝外大街甲6号万通中心A座4层023室，邮编：100020电话：（8610）59071501/2传真：（8610）59073151Email：George.qiao@geomatrixpr.com　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（自动化网莫铭编辑）