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三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产

三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算

 

 

今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。

"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5 DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代解决方案，助力实现更高的生产力。"

与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现，使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。

三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。

三星12纳米级DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。三星为满足客户需求将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容，以支持越来越多的应用，助力数据中心、人工智能在内的下一代计算。

三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，并将继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。

 

关于三星电子

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除非经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。