Vishay推出采用eSMP®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器

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Vishay推出采用eSMP^®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt^®超快恢复整流器

器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年11月26日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用eSMP^® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt^®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅在反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，还提供了更低的结电容和更短恢复时间。

日前发布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3，以及符合AEC-Q101标准的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。为了降低开关损耗并提高效率，这些器件融合了低至45 ns的快速恢复时间，低至105 nC的Q_rr（典型值），低至1.45 V的正向压降和低至3.0 pF的结电容等特点。性能可靠的整流器在尺寸为4.2 mm x 1.4 mm的紧凑封装中提供了高达21 A的非重复峰值浪涌电流，厚度低至1.08 mm，最小爬电距离仅2.2 mm。

器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车（EV）车载充电器和电机、发电和储能系统，以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。 

整流器采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统的可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度减少开关损耗并降低功耗。器件符合RoHS标准，无卤素，潮湿敏感度达到J-STD-020标准1级，可在+175 °C高温下工作。 

器件规格表：

最新第7代整流器现可提供样品并已实现量产，订货周期为8周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ^®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。