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  Silicon Frontline加入新思科技,完善电气布局验证,构建系统级电气分析平台
 
  功率半导体器件是现代电子产品的核心,为智能手机、汽车等各类设备的供电提供支持。在设计此类高电压、大电流的微型元件时,开发者需要非常谨慎,并必须注重细节,因为任何微小的设计缺陷都可能导致制造过程中出现代价高昂的错误。从便携式智能电子设备到不断发展的高性能计算系统,各个市场不断增长的需求使得功率半导体器件面临巨大压力,亟需提升可靠性和耐用性。
 
 
  想要增加电子设备的续航时间,就必须更加谨慎地选择器件材料、确定器件尺寸以及所需创建的电路类型。为了顺利执行流程中所有的必要步骤,需要有出色的解决方案/平台予以支持。
 
  除了功率器件外,IC设计过程还包括另一个关键步骤,那就是电气布局验证,其中涉及检查电路在非常规情况下的完整性。此类可靠性检查旨在确定电路能否经受静电放电而不出现任何损坏或性能下降。随着芯片设计规模越来越大,越来越复杂,未知因素也越来越多,开发者必须考虑更多不同场景的挑战。团队通常按顺序解决问题,这需要大量时间和反复迭代。如今,功率器件设计和ESD验证均为临时流程,开发者需要将多种解决方案拼凑到一起才能实现预期目标。
 
  收购Silicon Frontline Technology后,新思科技能够立即解决IC设计过程中关键的性能和可靠性挑战,为各类电气布局验证需求提供端到端解决方案。此外,新思科技还获得了多项核心技术,可加速开发综合的系统分析解决方案。
 
  为了进一步探索Silicon Frontline Technology可为新思科技客户带来的益处,我们采访了新思科技EDA事业部签核解决方案产品管理高级总监Hitesh Patel。
 
  问:新思科技为什么要收购Silicon Frontline Technology?
 
  答:Silicon Frontline Technology提供独特的电气布局验证解决方案,可解决当今复杂电子设计中至关重要而又难以解决的性能和可靠性难题。其解决方案能够检测大型功率半导体器件和静电放电(ESD)保护网络设计中的“盲点”,可帮助开发者在开发早期进行准确的优化和验证,让流片一次成功。设计团队可以在布局前后快速准确地进行电阻、电容、热和ESD验证,这对设计工作大有助益。在功率器件以及混合信号和模拟设计方面,Silicon Frontline的产品已成为实际的标准,可帮助开发者提高效率,确保设计的鲁棒性。
 
  借助此次收购,新思科技扩展了设计分析产品组合的功能,构建系统级电气分析平台。我们还获得了鲁棒的框架,能够支持核心引擎的设计迁移,可用于3DIC、热管理和电迁移的系统级签核分析。
 
  问:新思科技的哪些解决方案将从此次收购中受益?
 
  答:首先,Silicon Frontline的动态ESD仿真解决方案补充了新思科技IC Validator? PERC物理验证解决方案中的静态ESD技术,有助于新思科技打造出市面上数一数二的整体ESD验证解决方案。对于先进工艺节点而言,静态和动态ESD分析正迅速成为至关重要且必不可少的一步。
 
  其次,Silicon Frontline的电热解决方案加快了我们对功耗设计工艺协同优化(DTCO)技术的投资,着重于缩短功率晶体管设计的开发周期。功率器件仍是大多数电子产品的核心,而功率器件的设计和分析也是SoC功耗签核的关键环节。
 
  最后,Silicon Frontline的3D解算器可加速热解决方案的开发,显著推进我们在综合Multi-Die系统分析、光电子技术以及未来Beyond-CMOS技术方面的工作。
 
  问:在Silicon Frontline Technology的解决方案整合到新思科技的产品组合中后,设计团体可以获得哪些益处?
 
  答:如果不加干预,ESD会严重损坏芯片,因而解决ESD问题是提高可靠性的关键所在。此前,开发者通常会自行创建临时的ESD检查规则,使用两组不同的工具分别进行静态检查和动态检查。此次收购后,新思科技将能够提供完全覆盖ESD和电热分析的平台,采用统一的方法同时解决系统设计的热管理、信号完整性和电源完整性问题。
 
  除了ESD分析外,新思科技还通过此次收购获得了快速3D提取、点对点电阻计算、静态EMIR分析、功率器件DC仿真、功率器件栅极网络提取与仿真、动态器件模型生成、电热仿真等解决方案。
 
  依托自身丰富的芯片设计专业知识,新思科技提供了从芯片层面到系统层面的独特设计方法,而不是反过来从系统到芯片。这使我们能够帮助开发者由内而外地优化设计,获得更好的功率、性能和面积(PPA)表现,并提升生产力。Silicon Frontline团队在计算几何、复杂数值方法和半导体材料方面拥有丰富的专业知识,我们非常期待他们加入新思科技。收购完成后,产品路线图将进行调整。