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东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化

中国上海，2023年8月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款^[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）^[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）^[3]和11mJ（典型值）^[3]，与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%^[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。

东芝将不断创新，持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

Ø 应用：

工业设备

- 可再生能源发电系统（光伏发电系统等）

- 储能系统

- 工业设备用电机控制设备

- 高频DC-DC转换器等设备

Ø 特性：

- 低漏极-源极导通电压（传感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

- 低开通损耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低关断损耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低寄生电感：

LsPN＝12nH（典型值）

Ø 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25℃）

注：

[1] 采样范围仅限于双SiC MOSFET模块。数据基于东芝截至2023年8月的调研。

[2] 测量条件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃

[3] 测量条件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃

[4] 截至2023年8月，东芝对2300V Si模块和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较（2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估）。

如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：

MG250YD2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html

如需了解东芝碳化硅功率器件的更多信息，请访问以下网址：

碳化硅功率器件

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

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