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Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗 

半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级

 

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月29日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

 

日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。

这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。

 

模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。

 

器件规格表：

产品编号

VCES

IC

VCE(ON)

Eoff

速度

封装

@ IC和 +125 °C

VS-GT100TS065S

650 V

100 A

1.02 V

6.5 mJ

DC~1 kHz

INT-A-PAK

VS-GT150TS065S

650 V

150 A

1.05 V

10.3 mJ

DC~1 kHz

INT-A-PAK

VS-GT200TS065S

650 V

200 A

1.07 V

13.7 mJ

DC~1 kHz

INT-A-PAK

VS-GT100TS065N

650 V

100 A

2.12 V

1.0 mJ

8 kHz~30 kHz

INT-A-PAK

VS-GT200TS065N

650 V

200 A

2.13 V

3.86 mJ

8 kHz~30 kHz

INT-A-PAK

 

 

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。