【IGBT器件近些年出现了一种碳化硅新工艺】碳化硅的绝缘破坏电场强度是传统硅器件的9倍多,因此使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低,芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件,碳化硅器件的工作频率更高,也能够耐受更高的环境温度。
    背景信息:@罗姆半导体集团#罗姆报道#相比普通硅功率器件,碳化硅器件的工作频率更高,也能够耐受更高的环境温度。因此在高压功率市场,碳化硅器件简直是IGBT的完美替代者,但是为何到目前为止,IGBT仍然占据主流应用呢?请看《与非网》报道《IGBT的最大威胁碳化硅,何日从威胁变杀手》: