【“TWINHOW 推好”科技观察：东芝第三代SiC MOSFET】

东芝加紧对该器件 结构进行完善，并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，缩少单元尺寸。经实验验证，相比第二代SiC MOSFET，东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ，Ron Qgd 降低了 80% ，开关损耗降低约 20% 。

 

 

东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET|应用于开关电源、光伏变频器等

 

 

 

中国上海，2022年8月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。

 

 

新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。

 

东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。

 

  • 应用：

- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）

- 电动汽车充电站

- 光伏变频器

- 不间断电源（UPS）

 

  • 特性：

- 单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）

- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V

 

注：

[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（RDS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。

[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。

[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。