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　　半导体行业热点：国内首条光子芯片中试线月底调试
　　
　　四川九天中创自动化设备有限公司是专业从事显示模组设备、半导体类设备、烟草物流设备的研发、制造、销售及服务于一体的高新技术生产企业。公司目前规模约400人，其中研发人员约占30%，拥有近200项专利，取得了ISO9001质量体系、知识产权贯标体系认证、服务体系等多项认证。具备从产品设计到生产加工的整体制造能力。我司研发生产的设备具备“国产价格，进口品质”，在国内市场深受欢迎。
　　
　　一、三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产
　　
　　据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。
 
　　
　　活动中，三星公布了两个新工艺节点，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，通过将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比，SF2Z不仅提高了PPA，还显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。SF4U则是4nm工艺变体，通过结合光学缩放技术改进功率、性能和面积（PPA），该工艺计划于2025年量产。
　　
　　目前，三星对SF1.4（1.4nm）的准备工作进展顺利，正在按计划达成性能和量产目标，预计该工艺将于2027年量产。
　　
　　在技术路线上，三星重点介绍了全环绕栅极（GAA）工艺技术的进展。三星的GAA工艺已进入量产的第三年，基于GAA技术演进，三星计划在今年下半年量产第二代3nm工艺（SF3），并计划在即将推出的2nm工艺上采用GAA。
 
　　
　　三星电子晶圆代工事业部总裁崔思英在演讲中表示：“在所有技术都在围绕AI发生革命性变革的时代，最重要的是能够实现AI的高性能、低功耗半导体，”三星电子将通过针对AI半导体优化的GAA（Gate-All-Around）工艺技术和光学器件技术，提供客户在AI时代所需的一站式AI解决方案，以实现低功耗的高速数据处理。到2027年，该公司计划将光学元件集成到其AI解决方案中。
　　
　　二、国内首条光子芯片中试线月底调试
　　
　　本月底，国内首条光子芯片中试线将进入设备调试冲刺阶段。
　　
　　据悉，今年1月，位于滨湖区的上海交大无锡光子芯片研究院迎来光子芯片中试线首批设备入场，研究院以“突破光电子信息关键核心技术”为发展使命，也是支撑无锡量子科技这一未来产业发展的重要科创平台。
　　
　　首条光子芯片中试线以高端光子芯片的研发为核心，聚焦新一代信息技术和产业化应用，旨在推动量子计算机、通用光子处理器、三维光互连芯片和高精密飞秒激光直写机等变革性技术落地转化，加速打造以光子芯片底层技术为驱动，面向量子计算、人工智能、光通信、光互连、激光雷达、成像与显示、智能传感的新一代光子科技产业集群。
　　
　　光子芯片中试线运行后可在药物发现、电池设计、流体动力学、干线物流优化、安防和加密等多个领域发挥颠覆性作用，将为无锡光子芯片产业和量子科技的发展提供强大支撑。
　　
　　未来，研究院将充分发挥光子芯片中试线的稀缺性和工艺优势，以光子芯片底层技术为驱动，融合芯、光、智、算产业要素，加速形成 “平台+孵化+基金”三位一体的产学研创新生态体系，共同把光子芯谷一期、二期打造成为万亿产业，成为世界级光子芯片产业化中心。
　　
　　三、南京长晶年产200亿颗新型元器件项目预计8月竣工
　　
　　近日，江苏长晶年产200亿颗新型元器件项目迎来最新进展，预计8月底完成竣工验收，9月投产运营。本项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。
　　
　　据悉，长晶年产200亿颗新型元器件项目位于浦口经济开发区，由江苏长晶浦联功率半导体有限公司投资建设。项目总投资9.5亿元，2024年计划投资3亿元，总占地148亩，总建筑面积约12.9万平方米，建设生产厂房、动力中心、库房等，主要生产表面贴装的半导体分立器件和功率器件。建成达产后，预计年产器件200亿颗。预计年产值12亿元、年税收5000万元，新增就业岗位1200个。
 
　　
　　四、ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机，芯片密度限制再缩小
　　
　　日前，ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World的演讲中表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时400-500片晶圆”。同时透露，ASML将在2030年左右提供Hyper-NA，达到0.75NA，以便实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。
　　
　　Imec高级图案设计项目总监Kurt Ronse表示，这是ASML首次将Hyper-NA EUV加入其技术路线图。现阶段想要突破0.55NA，需要解决光偏振和光刻胶的挑战。Ronse 还指出，目前的High-NA应该会持续贯穿从2nm到1.4nm、10埃米甚至7埃米的工艺节点，此后，Hyper-NA 将开始占据主导地位。