创新器件采用七种紧凑的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、筛选选项，包括针对关键的医疗和军工/航天应用的weibull失效率分级 　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 10 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款TM8系列高可靠性、表面贴装、具有低至200nA的超低直流泄露电流(DCL)的钽电容器。 　　在早期的医疗设备平台中，直流泄漏仅仅是尚可的水平，然而现在则要求更低的直流泄漏。通过使用Vishay独有的多阵列封装(MAP)，新的TM8器件显著降低了直流漏电，并实现了更好的稳定性。借助专利的MAP组装技术，TM8电容器为在这些应用中实现尽可能高的可靠性和效率提供了一个健全的设计。此外，器件遵照MIL-PRF-55365标准进行了了严格的处理和测试。 　　在7种紧凑的外形尺寸内，TM8系列提供从1μF/40V至47μF/10V的容量-电压(CV)等级范围。电容器很适合植入式医疗设备、医疗仪器及军工/航天系统等关键应用中对长期性能的要求。TM8器件还具有特殊的筛选和为特定应用定制的选项。 　　今天发布的器件为诸多设备中的滤波、耦合/解耦、直流阻塞和储能应用进行了优化，如起搏器、ICD、神经刺激器、助听器和人工耳蜗等医疗设备；病人监护设备、自动给药系统、成像和诊断设备等医疗仪器；军用和航天混合微电路/多芯片模块、智能军需、GPS系统、传感器及手持式便携电子系统。 　　为保证在苛刻环境中的可靠性和长期性能，Vishay提供了在+85℃下40小时的老化阶段或weibull分级B级，利用这两种筛选方法能够达到0.1%的失效率。浪涌电流选项包括选项A(在+25℃进行10个循环)和选项B(在-55℃/+85℃下进行10个循环)。Vishay使用专用生产线生产这些电容器，并经验丰富的员工确保在生产过程中各个环节的生产质量。 　　电容器采用紧凑的L、M、N、P、R、T和W外形代码，是空间受限的便携式/植入式应用的绝佳选择，同时其低DCL确保高效运行并延长电池寿命。TM8的L形接头允许采用高级电路板安装，在最终用户的量产中可对焊锡的圆角进行视觉检查(或自动光学检查)。 　　这些符合RoHS的器件的工作温度为-55℃～+85℃，电压降级情况下的温度可达+125℃，电压范围为2WVDC～40WVDC。 　　TM8电容器采用符合per EIA-481-1标准的卷带包装，现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。