【TWINHOW推好高质量发展联盟（平台）科技观察：GD25WDxxK6 SPI NOR Flash】

1、SPI NOR Flash - 主要特性：支持1.8V、2.5V、3.0V和宽压电源供电；提供单通道、双通道、四通道SPI工作模式；四通道SPI数据吞吐量高达532Mb/s，优于许多异步并行闪存；内存架构灵活自如（扇区大小：4K bytes，块大小：32/64K bytes）；高可靠性，数据保留时间20年，编程/擦除周期达100000次；工作温度范围：-40℃~85℃；提升的代码执行速度、简化的接口和较少的引脚等。

2、绿色低碳亮点：在低功耗设计方面，GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。

3、宽温亮点：GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，最高时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃，-40℃~105℃，-40℃~125℃温度范围。

兆易创新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列问世

“超小尺寸、超轻薄、宽电压”持续领跑市场

中国北京（2022年7月20日） — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装，最大厚度仅为0.4mm，在如此紧凑、轻薄的空间内，其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升，为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。

如今，随着5G、物联网、AI等技术的不断迭代，在笔记本摄像头、智能遥控器、智能健康手环等采用电池供电的应用场景中，兆易创新对“小而精”的追求从未停止，这对应用其中的存储产品提出了更高的要求。一方面，需要提供足够的代码存储空间来满足设备正常运行需求；另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以适应电子设备日益小型化的趋势。

针对这一市场需求，兆易创新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品，缩小了高达36%的占板面积，为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。在低功耗设计方面，兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。

此外，为满足便携式电子产品的存储需求，GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，最高时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃，-40℃~105℃，-40℃~125℃温度范围。

兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“随着万物互联时代下的数据狂潮席卷而来，电子设备对于存储产品不断发出挑战，而兆易创新要做的就是从挑战中寻求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之间实现了优异性能。从小尺寸到低功耗，兆易创新从用户需求出发，不断推陈出新，再次将我们‘创新’的DNA发挥得淋漓极致。”

目前兆易创新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量产品已全面量产；2Mb~4Mb容量产品可提供样片，预计在8月中旬实现量产