• 完成与高通最新移动处理器的兼容性验证,正式开始向客户提供产品
  • "将通过加强与高通的合作,实现智能手机发展为AI时代的核心应用。"

SK海力士(或‘公司,https://www.skhynix.com)25日宣布, 公司开始推进"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*,其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps(每秒9.6千兆)最高速度。SK海力士表示,最近获得了将LPDDR5T DRAM适用于美国高通技术公司(Qualcomm Technologies,以下简称高通)最新第三代骁龙8移动平台(Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform)的业内首次认证。

SK hynix LPDDR5T
SK hynix LPDDR5T

*LPDDR(低功耗双倍数据速率):是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格,因以耗电量最小化为目的,具有低电压运行特征。规格名称附有"LP(Low Power,低功耗)",最新规格为第七代LPDDR(5X),按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业内首次开发的产品,是第八代LPDDR6正式问世之前,将第七代LPDDR(5X)性能进一步升级的产品。

自今年1月开发出LPDDR5T DRAM以来,SK海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出,两款产品都发挥出了优秀的性能。

SK海力士强调:"公司的LPDDR5T DRAM成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动AP(Application Processor)供应商的性能验证,今后移动设备中LPDDR5T DRAM的布局将迅速扩大。"

公司计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB(千兆)容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB,其相当于1秒内可处理15部全高清(Full-HD,FHD)级电影。

另外,LPDDR5T DRAM可在国际半导体标准化组织(JEDEC)规定的最低电压标准范围1.01~1.12V(伏特)下运行,在功耗方面也具备了优势。

SK海力士技术团队在开发该产品的过程中,采用了HKMG(High-K Metal Gate)*工艺,在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待,在下一代的LPDDR6 DRAM问世前,LPDDR5T DRAM在移动DRAM市场上占据很大比重。

*HKMG:在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可改善电容(Capacitance)的新一代工艺。不仅可以提高内存速度,还可降低功耗。SK海力士于去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺

高通技术公司产品管理高级副总裁(Senior Vice President of Product Management)Ziad Asghar表示:"第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型AI为基础的大语言模型(LLM)和大视觉模型(LVM)。骁龙移动平台和SK海力士的最高速移动DRAM相结合,智能手机用户将能够体验惊人的AI功能。"

SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示:"LPDDR5T DRAM成功满足了全球客户对超高性能移动DRAM需求,对此感到很高兴。"

柳副社长还补充道:"预计今后智能手机将成长为驱动AI技术的核心应用。为此,需要通过移动DRAM持续提高智能手机的性能,公司将继续加强与高通的合作,努力提高该领域的技术能力。"

Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated.
Snapdragon is a product of Qualcomm Technologies, Inc. and/or its subsidiaries.

关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国,是一家全球领先的半导体供应商,为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器),NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市,其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。

SK hynix LPDDR5T
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