2mm
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- Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有业内P沟道器件的最低导通电阻
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【导读】宾夕法尼亚、MALVERN—2011年1月24日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款8VP沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx2mm占位面积的热增强型PowerPAK®SC-70封装，具有迄今为止P沟
2011-02-25 14:41:08
