电动汽车充电站
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- 东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
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东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L
2024-09-25 13:54:39
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- 东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET|应用于开关电源、光伏变频器等
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东芝加紧对该器件 结构进行完善，并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，缩少单元尺寸。经实验验证，相比第二代SiC MOSFET，东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ，Ron Qgd 降低了 80% ，开关损耗降低约 20% 。
2022-08-30 14:25:33
