GaN
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- 德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
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德州仪器采用当前先进的GaN制造技术，现启用两家工厂生产GaN功率半导体全系列产品新闻亮点：德州仪器增加了GaN制造投入，将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。凭借德州仪器品类齐全的GaN集成
2024-10-28 17:12:41
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- 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
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凭借这一突破性的300mmGaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率300mmGaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全
2024-09-19 00:02:37
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- SK启方半导体加大力度开发GaN新一代功率半导体
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韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SKkeyfoundry）今日宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。SK启方半导体持续关注着GaN功率半导体的市场和潜力。为此，公司于2022年成立
2024-06-19 09:09:52
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- 意法半导体牵手空客: 第三代半导体“上天”，加速飞行电动化|为空客开发航空级SiC和GaN功率器件
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该合作项目主要围绕为空客开发航空级SiC和GaN功率器件、封装和模块展开。两家公司将在电机控制单元、高低压电源转换器、无线电能传输系统等实物演示装置上进行高级研究测试，评估功率组件的性能。
2023-06-29 13:30:14
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- 为客户产品应用中的开关管电压瞬变尖峰提供了更多的设计裕量|Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
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亮点：Qorvo的器件具有最低 5 4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs和 GaN晶体管的导通阻抗还要低上 4-10倍。SiC FETs的 750V额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客户产品应用中的开关管电压瞬变尖峰提供了更多的设计裕量。
2023-03-21 17:12:45
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- Wolfspeed 碳化硅器件赋能梅赛德斯-奔驰新一代电动汽车平台
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将为梅赛德斯-奔驰供应碳化硅器件，赋能其未来电动汽车平台，为其动力总成带来更高效率；产品家族包括了 SiC 材料、功率开关器件、射频器件，针对电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种应用。
2023-01-06 18:33:23
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- 基于安森美（onsemi）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案|大联大友尚集团推出|GaN器件成为服务器电源方案的首要选择
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【“ZiDongHua ”之半导体元器件GaN器件方案应用场:服务器电源】NCP58921是650V增强型GaN器件，具有150mΩ和50mΩ的导通电阻，适用于所有常见的转换器拓扑结构。借助GaN的显著优势，器件可在“硬开关”应用中具有良好表现。
2022-12-22 11:19:13
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- 博格华纳向Wolfspeed投资5亿美元，保障高达6.5亿美元碳化硅器件年度产能供应
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全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳宣布达成战略合作。博格华纳将向 Wolfspeed 今天早些时候发布的融资交易投资 5 亿美元，以获取碳化硅器件产能供应通道。
2022-11-17 15:59:54
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- 半导体产业工厂自动化|全球首座 200mm SiC 工厂-WOLFSPEED莫霍克谷全自动新工厂
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【第一对焦：SiC】碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓） 。
2022-04-27 11:31:40
