功率半导体器件
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- 瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT
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【TWINHOW科技观察：瑞萨电子,用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT。】瑞萨电子推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线
2022-08-30 17:23:15
