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  • 东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率
    东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率
    东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L

    2024-09-25 13:54:39

  • 安科瑞5G基站节能及数字化管理解决方案
    安科瑞5G基站节能及数字化管理解决方案
    截至2023年10月,我国5G基站总数达321 5万个,占全国通信基站总数的28 1%。然而,随着5G基站数量的快速增长,基站的能耗问题也逐渐日益凸显,基站的用电给运营商带来了巨大的电费开支压力,降低5G基站的能耗成为了运营商们亟待解决的问题。1、5G基

    2024-07-29 08:47:36

  • 安科瑞开口式霍尔电流传感器助力直流配电改造
    安科瑞开口式霍尔电流传感器助力直流配电改造
    1、概述直流配电系统通常由高频开关电源和蓄电池组成,用于为直流系统中控制、信号、继电保护自动装置、事故照明等提供可靠的直流电流电源,对其供电的可靠性、稳定性以及供电质量均有着很高的要求。因此对一些使用周期长的直流配电系统的改造显得

    2024-02-02 17:14:07

  • LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式
    LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式
    在ACDC开关电源设计过程中,当需要实现高效率设计需求时,工程师往往会考虑LLC谐振半桥拓扑结构。LLC拓扑结构可以实现软开关,因此在开关电源设计尤其是在大功率的开关电源设计过程中往往具有优势。目前市面上经常可以看到的NCP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓扑结构控制芯片

    2023-12-21 11:24:24

  • 适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案
    适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案
    随着物联网,尤其是智能照明和智能家居的发展,高效高性能的小体积电源越来越被市场所需求。如何能在电源体积做得更小的情况下,依然能够保证最好的性能?安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案:适配于氮化镓(GaN)开关器件,工作于高频开关频率场合下的小体

    2023-12-19 13:53:48

  • 东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
    东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
    中国上海,2023年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。

    2023-08-31 22:50:05

  • 直线模组的运行注意事项
    直线模组的运行注意事项
    直线模组的运行注意事项,直线模组是属于高精密的传动元件,大家都知道,安装不当,直线模组就无法显示其高精度的优势,不仅如此,使用不当也会磨损直线模,针对直线模组的使用安全性事宜,我们切记严苛遵照有关的安全操作规程,这样才能充分发挥出直线模组的功效,尽量的降低

    2023-08-21 20:16:11

  • 东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率
    东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率
    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBDs)——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品(均为650V)中有7款产品采用TO-220-2L封装,其余5款采用DFN8×8封装,于今日开始支持批量出货。

    2023-07-13 17:49:24

  • 助力提高电源效率|东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET|适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器
    助力提高电源效率|东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET|适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器
    该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品。

    2023-06-13 17:49:08

  • TPH9R00CQ5可用于工业设备开关电源|东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性
    TPH9R00CQ5可用于工业设备开关电源|东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性
    可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用;TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9 0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。

    2023-03-30 15:10:30

  • Vishay推出具有低ESR的高体积效率汽车级vPolyTan™聚合物钽片式电容器
    Vishay推出具有低ESR的高体积效率汽车级vPolyTan™聚合物钽片式电容器
    T51系列器件设计牢固,适用于各种恶劣环境,工作温度可达+125 (C,温度超过+105 (C时需降低工作电压,高温使用寿命达到2000小时。电容器纹波电流达到2 37 A,是高级驾驶辅助系统(ADAS)、信息娱乐系统以及其他车载电子系统开关电源和负载点(POL)电源去耦、平滑和滤波电容的理想选择。

    2023-02-01 16:01:55

  • Vishay推出超薄MTC封装三相桥式功率模块,提高系统可靠性,降低生产成本
    Vishay推出超薄MTC封装三相桥式功率模块,提高系统可靠性,降低生产成本
    日前,Vishay宣布,推出三款采用超薄MTC封装的新系列130 A~300 A三相桥式功率模块,可提高重载工业应用系统可靠性。130 A VS-131MT…C、160 A VS-161MT…C和 300 A VS-301MT…C系列模块适用于焊机、开关电源、等离子切割、工业电池充电和电机控制线频输入整流。

    2022-12-19 12:52:27

  • 东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET|应用于开关电源、光伏变频器等
    东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET|应用于开关电源、光伏变频器等
    东芝加紧对该器件 结构进行完善,并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构,缩少单元尺寸。经实验验证,相比第二代SiC MOSFET,东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ,Ron Qgd 降低了 80% ,开关损耗降低约 20% 。

    2022-08-30 14:25:33

  • 安森美推新:全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
    安森美推新:全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
    【自动对焦:SiC】NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET,适用于要求严苛的应用,包括开关电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能。 该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计,包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效标准。

    2022-05-11 10:22:30