来源：Vishay
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- Vishay Siliconix 推出新款500V的 N沟道功率MOSFET超低导通电阻
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器件具有低至0 38Ω的导通电阻和68nC的栅极电荷，采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装 宾夕法尼亚、MALVERN—2010年10月18日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFE
2010-10-21 16:41:49
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- Vishay 新型四通道、六通道及八通道 EMI 滤波器
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Vishay新型四通道、六通道及八通道EMI滤波器具有20pF和40pF电容量，典型切断频率为130MHz和240MHz 器件采用LLPXX13无铅封装，具有0 66mm的超薄厚度,可实现板面空间节约 宾夕法尼亚、MALVERN—2008年2月6日—日前，VishayIntertechnology,
2008-02-20 17:43:25
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- Vishay 新型 Z202 小型超高精度 Z 箔电阻
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Vishay新型Z202小型超高精度Z箔电阻，集±0 05ppm ℃的典型TCR、±5ppm的电阻功率系数(PCR)与±0 01%的容差等特性于一身 器件具有±0 01%的负载寿命稳定性和高于25000V的ESD保护，在标准值范围内的任何容差下可调整为任意值 宾夕法尼亚、
2008-02-20 15:51:11
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- Vishay 推出业界首款 Power Metal Strip® 电阻
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Vishay推出采用3921及5931封装尺寸且工作温度范围介于–65°C～+275°C的业界首款PowerMetalStrip®电阻 3W与5W器件具有低至0 001Ω的超低电阻值及1 0%与5 0%的低容差 宾夕法尼亚、MALVERN—2008年2月13日—日前，VishayIntertechnolo
2008-02-20 11:12:05
