罗姆报道
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- IGBT器件近些年出现了一种碳化硅新工艺
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【IGBT器件近些年出现了一种碳化硅新工艺】碳化硅的绝缘破坏电场强度是传统硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。背景信息
2015-08-05 09:21:46
