MOSFET
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- Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，
2024-12-05 09:25:40
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- Vishay推出采用eSMP®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出四款采用eSMP® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化
2024-11-26 16:54:35
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- 安森美与伍尔特电子携手升级高精度电力电子应用虚拟设计
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安森美 (onsemi) 和伍尔特电子宣布，伍尔特电子的无源元件数据库已集成到安森美独特的 PLECS® 模型自助生成工具 (SSPMG) 中。SSPMG 是基于 Web 的平台，界面直观、简单易用，能够帮助工程师针对复杂的电力电子应用定制高精度、高保真 PLECS 模型，从而尽早发现和修复设计过程
2024-11-14 15:58:08
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- SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合
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韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体(SKkeyfoundry)今日宣布推出HVIC（高压集成电路）工艺技术，从而扩大和增强了高压代工服务组合。SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+nLDMOS（横向双扩散金属氧化
2024-10-24 09:59:45
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- 平面还是沟槽？听听安森美碳化硅专家怎么说
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“中国是全球最大、增长最快的纯电动汽车市场，中国 OEM 正在采用安森美的碳化硅解决方案，因为我们的芯片和模块（例如我们刚刚发布的 M3e）具有市场领先的效率。”安森美(onsemi)CEO Hassane在一次电话会上表示。
2024-10-22 09:03:03
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- 东芝推出新款面向车载直流有刷电机的栅极驱动器IC，助力缩小设备尺寸
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出面向车载直流有刷电机的新款栅极驱动器IC[1]的工程样品——TB9103FTG，可用于包括电动尾门、电动滑动门驱动闩锁电机[2]和锁定电机[3]，以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。
2024-09-23 12:19:46
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- NE时代对话博世汽车电子：博世碳化硅不做最低价竞争，要做最高品质竞争
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2024年8月底博世汽车电子首次参展电气化盛会PCIM Asia 2024。碳化硅作为该展会的焦点之一，博世全方位展示了创新的碳化硅综合解决方案
2024-09-12 17:18:41
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- 东芝推出面向车载直流有刷电机的新款栅极驱动器IC，助力缩小设备尺寸
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东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出面向车载直流有刷电机的新款栅极驱动器IC[1]的工程样品——TB9103FTG，可用于包括电动尾门、电动滑动门驱动闩锁电机[2]和锁定电机[3]，以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。
2024-09-11 15:17:48
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- 安世半导体携多款先进产品和解决方案精彩亮相PCIM Asia 2024
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8月28至30日，“2024国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）”在广东深圳隆重举办。安世半导体携四大产品线共23款先进产品和解决方案亮相展会，吸引了一众参展观众的目光。
2024-09-05 16:59:10
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- 安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
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最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%
2024-07-30 15:50:18
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- GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战
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自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。
2024-07-01 12:56:47
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- 意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园
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ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地。
2024-06-07 15:39:23
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- 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆变器！
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使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆变器！
2024-06-03 23:01:09
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- 与非网第三届"汽车技术论坛 "将于5月22日举行
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与非网第三届 "汽车技术论坛 "将于2024年5月22日在线召开。这是一场面向产业上下游的行业盛会，汇集来自汽车领域的众多技术专家，共同探讨行业的发展动向，为专业人士搭建深度洞察和讨论汽车技术应用的平台。新能源汽车、风光储能等清洁能源的兴起，
2024-05-16 09:01:29
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- Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3 3 mm x 3 3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。
2024-03-14 16:34:45
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- 国基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技术攻关，打造汽车电子中国“芯”
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超净厂房里，科研人员坐在电脑前操控，一台台精密仪器自动化运行；生产车间里，比绣花针还细的测试探针在芯片间高速移动，这是自动测试台在对一片已完工的6英寸碳化硅晶圆进行测试…
2024-02-29 11:29:23
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- 东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
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【ZiDongHua之新品发布台文收录关键词：东芝调节器二极管MOSFET】东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI
2024-02-22 15:12:28
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- Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3 3 mm x 3 3 mm PowerPAK
2024-02-20 16:00:30
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- 意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST) 与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车签署了一项碳化硅
2023-12-22 16:25:14
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- “芯”火燎原丨中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线
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11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构
2023-12-01 17:11:34
