MOSFET
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- 碳化硅将推动车载充电技术随电压等级的提高而发展
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虽然“续航焦虑”一直存在，但混合动力、纯电动等各种形式的电动汽车 (EV) 正被越来越多的人所接受。汽车制造商继续努力提高电动汽车的行驶里程并缩短充电时间，以克服这个影响采用率的重要障碍。
2023-09-18 20:28:58
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- 东芝进一步扩展Thermoflagger™产品线---检测电子设备温升的简单解决方案
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中国上海，2023年9月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，进一步扩展ThermoflaggerTM过温检测IC产品线---“TCTH0xxxE系列”。该系列可用于具有正温度系数（PTC）热敏电阻的简单电路中，用来检测电子设备中的温度升高，六款新产品于今日开始支持批量出货。
2023-09-15 16:14:15
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- 意法半导体SiC技术助力博格华纳Viper功率模块设计，为沃尔沃下一代电动汽车赋能
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意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅（SiC）功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标? 博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）将
2023-09-14 17:51:01
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- 大联大品佳集团推出基于Infineon产品的140W电源适配器方案
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2023年9月7日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XDPS2221芯片的140W电源适配器方案。
2023-09-07 17:00:36
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- Vishay推出业内先进的小型6 A、20 A和25 A降压稳压器模块，提高POL转换器功率密度
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microBRICK器件采用10 6 mm x 6 5 mm x 3 mm封装，小于竞品解决方案69 %，输入电压4 5 V至 60 V美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年9月6日
2023-09-07 16:59:00
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- 东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
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中国上海，2023年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-08-31 22:50:05
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- 东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-29 17:22:24
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- 东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL?（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-18 00:08:03
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- 东芝低导通电阻车规N沟道MOSFET为车载设备赋能
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东芝低导通电阻车规N沟道MOSFET为车载设备赋能汽车智能化的发展使车用MOSFET蕴含巨大增量空间，据相关数据显示，在ADAS、安全、信息娱乐等功能的不断迭代下，单车MOSFET使用量可达200-400颗，前景广阔。
2023-08-04 15:22:36
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- 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化|通过减少损耗来提高电源效率，并帮助降低设备功耗
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新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-06-29 14:38:47
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- 安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
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自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。
2023-06-27 12:06:59
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- 助力提高电源效率|东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET|适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器
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该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品。
2023-06-13 17:49:08
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- Vishay推出SOP-4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器
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【ZiDongHua之新品发布台收录关键词：VishayMOSFET驱动器】Vishay推出SOP-4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8 5V）达到业内先进水平美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2023年6月7日—
2023-06-07 22:53:59
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- 中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET国际先进 | 聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域
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近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅 MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新性显著，总体技术达到国际先进水平。
2023-05-23 14:06:13
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- 应用场景：智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、数码单反相机等|东芝推出小型化超薄封装共漏极MOSFET
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推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。
2023-05-19 11:13:20
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- 电动汽车快充方案的关键|安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议
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安森美为Kempower 的Satellite直流快速充电桩提供EliteSiC MOSFET和二极管。为Kempower的电动汽车充电方案带来更高的功率密度和整体可靠性。
2023-05-18 09:45:17
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- 提高电动汽车和能源基础设施应用的能效|安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件
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安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说：“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”
2023-05-10 11:01:29
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- 材料科学与工程|安森美：揭秘碳化硅芯片的设计和制造
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JTE技术可以在SiC MOSFET的边缘区域形成一些深度掺杂的控制区域，这些区域可以有效地抑制移动离子的漂移。此外，JTE技术还可以在控制区域中引入一些特殊的物质，例如氮、硼等，这些物质可以与移动离子发生化学反应，从而减少其在MOSFET中的积累和漂移。
2023-04-04 15:46:05
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- 碳化硅(SiC)功率半导体企业昕感科技连续完成两轮融资|易凯资本担任独家财务顾问
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碳化硅（SiC）功率半导体企业昕感科技宣布连续完成数亿元B轮、B+轮融资。该系列融资由新潮集团及金浦新潮领投，安芯投资、耀途资本、达武创投、芯鑫租赁等机构共同参与，老股东蓝驰创投、万物资本持续加码。
2023-02-06 17:53:27
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- 新款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻|东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
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车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。
2023-02-03 14:59:48
