MOSFET
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- 东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET|应用于开关电源、光伏变频器等
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东芝加紧对该器件 结构进行完善，并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，缩少单元尺寸。经实验验证，相比第二代SiC MOSFET，东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ，Ron Qgd 降低了 80% ，开关损耗降低约 20% 。
2022-08-30 14:25:33
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- Kevin Toth：用于汽车负载应用的上桥 SmartFET 驱动器|具有自动重启功能的过温和电源保护
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亮点：具有自动重启功能的过温和电源保护防止器件因高功耗和过高的环境温度升高而过热。如果激活过温保护，器件将自行关断，直到它充分冷却并自动重试，假设输入为“高”。
2022-08-24 13:41:05
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- 安森美2022半导体与自动化科技动态（六）|VE-TracTM 碳化硅系列为电动车主驱逆变提供高能效、高功率密度和成本优势
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自动化网推好（TWINHOW）高质量发展联盟（平台）观察：采用稳定可靠的平面SiC技术，结合烧结技术和压铸模封装，帮助设计人员解决上述挑战，配合公司其他先进的智能功率电源半导体，加快市场采用电动车，助力未来的交通迈向可持续发
2022-06-28 12:37:54
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- MOSFET栅极驱动IC推新 |东芝2022推新动态（七）|东芝（中国）董事长宫崎洋一
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东芝(中国)有限公司董事长兼总裁宫崎洋一日前表示，今年是东芝进入中国市场50周年。近年来，东芝对业务组合进行了重组，从过去家电、电视和个人电脑等的生产转向了社会基础设施、能源等领域。目前在中国，东芝仍拥有广泛的业务内容，包括半导体、电梯、电力
2022-06-08 12:32:13
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- 瑞能半导体2022科技动态（二）：CEO Markus Mosen及海外团队亮相PCIM Europe电子展
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瑞能半导体2022科技动态（一）|“半导体芯势力”：瑞能半导体全球运营中心启动仪式隆重举行 http: www zidonghua com cn news brand 44713 html ，六年间，瑞能半导体已凭借可控硅，二极管，第六代碳化硅二极管、SiC- MOSFET、IGBT、TVS ESD等多种系列产品，奠定了其在行业内
2022-05-17 11:01:11
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- 推好解决方案：Rhombus 采用 Wolfspeed VE-TracTM Direct SiC功率模块 实现更快电动汽车充电速度
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领先于智能电源和智能感知技术的安森美，今日宣布全球汽车创新企业蔚来(NIO Inc )为其下一代电动车(EV)选用了安森美的最新VE-TracTM Direct SiC功率模块。这基于碳化硅(SiC)的功率模块使电动车的续航里程更远，能效更高，加速更快。两家公司的合作加快了SiC技术的商业化进程，为市场带来配备
2022-05-12 13:05:30
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- 安森美推新：全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
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【自动对焦：SiC】NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能。 该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效标准。
2022-05-11 10:22:30
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- NTC热敏电阻推新:适用于电动汽车的IGBT和功率MOSFET模块保护
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NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料， 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质
2022-04-12 11:16:18
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- 东芝动态：150V N沟道功率MOSFET推新|贝恩资本考虑提出收购
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【自动对焦：MOSFET】金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种
2022-04-01 13:49:06
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- 东芝推新TCK421G：MOSFET栅极驱动IC中的首款产品
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推好之处：适用于配置具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路或负载开关电路。它内置电荷泵电路，支持2 7V至28V的宽输入电压范围，经过间歇操作，为外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定电压；在可穿戴设备和智能手机等小型设备上实现高密度贴装，缩小设备的尺寸。
2022-02-10 11:14:57
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- Vishay推新推好：两款金氧半场效晶体管（ MOSFET）具有超低导通电阻
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推新：两款n沟道 MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E；推好：具有超低导通电阻，工作温度可达+175 ℃以及高连续漏极电流。
2022-02-08 10:30:23
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- 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块，有助于提升工业设备效率和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
2021-02-26 12:40:17
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- Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率
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该器件提供了89 25nC的业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积FOM 宾夕法尼亚、MALVERN—2008年10月29日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET®功率MOSFE
2008-10-31 09:18:19
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- Vishay推出业界首批采用 PowerPAK SC-75封装的
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Vishay的新型器件具有低至0 052欧姆的导通电阻及1 6mm×1 6mm的占位面积，适合各种消费类便携电子产品的要求 宾夕法尼亚、MALVERN—2008年8月21日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p
2008-08-28 09:25:16
