MOSFET
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- 安森美推新：全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
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【自动对焦：SiC】NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能。 该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效标准。
2022-05-11 10:22:30
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- NTC热敏电阻推新:适用于电动汽车的IGBT和功率MOSFET模块保护
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NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料， 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质
2022-04-12 11:16:18
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- 东芝动态：150V N沟道功率MOSFET推新|贝恩资本考虑提出收购
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【自动对焦：MOSFET】金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种
2022-04-01 13:49:06
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- 东芝推新TCK421G：MOSFET栅极驱动IC中的首款产品
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推好之处：适用于配置具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路或负载开关电路。它内置电荷泵电路，支持2 7V至28V的宽输入电压范围，经过间歇操作，为外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定电压；在可穿戴设备和智能手机等小型设备上实现高密度贴装，缩小设备的尺寸。
2022-02-10 11:14:57
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- Vishay推新推好：两款金氧半场效晶体管（ MOSFET）具有超低导通电阻
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推新：两款n沟道 MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E；推好：具有超低导通电阻，工作温度可达+175 ℃以及高连续漏极电流。
2022-02-08 10:30:23
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- 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块，有助于提升工业设备效率和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
2021-02-26 12:40:17
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- Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率
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该器件提供了89 25nC的业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积FOM 宾夕法尼亚、MALVERN—2008年10月29日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET®功率MOSFE
2008-10-31 09:18:19
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- Vishay推出业界首批采用 PowerPAK SC-75封装的
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Vishay的新型器件具有低至0 052欧姆的导通电阻及1 6mm×1 6mm的占位面积，适合各种消费类便携电子产品的要求 宾夕法尼亚、MALVERN—2008年8月21日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代号：VSH）宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p
2008-08-28 09:25:16
