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MOSFET
  • Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率
    Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率
      该器件提供了89 25nC的业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积FOM  宾夕法尼亚、MALVERN—2008年10月29日—日前,VishayIntertechnology,Inc (NYSE股市代号:VSH)推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP,从而扩展了其GenIIITrenchFET®功率MOSFE

    2008-10-31 09:18:19

  • Vishay推出业界首批采用 PowerPAK SC-75封装的
    Vishay推出业界首批采用 PowerPAK SC-75封装的
      Vishay的新型器件具有低至0 052欧姆的导通电阻及1 6mm×1 6mm的占位面积,适合各种消费类便携电子产品的要求  宾夕法尼亚、MALVERN—2008年8月21日—日前,VishayIntertechnology,Inc (NYSE股市代号:VSH)宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p

    2008-08-28 09:25:16